course-details-portlet

TFE4146 - Halvlederkomponenter

Om emnet

Vurderingsordning

Vurderingsordning: Skriftlig skoleeksamen
Karakter: Bokstavkarakterer

Vurdering Vekting Varighet Delkarakter Hjelpemidler
Skriftlig skoleeksamen 100/100 4 timer C

Faglig innhold

Emnet gir en detaljert innføring i de viktigste klasser av elektroniske halvlederkomponenter. Følgende tema behandles: ladningsbærerstatistikk og ladningsbærertransport i halvledere, luminesens og fotoledning, p-n overganger, metall-halvleder kontakter, dioder, felteffekt transistorer (MOSFET), bipolar transistor (BJT) og utvalgte fotoniske halvlederkomponenter.

Læringsutbytte

Kunnskapsmål

Kandidaten har:

  • god innsikt i prinsipp og virkemåte for de viktigste typer av elektroniske halvlederkomponenter, basert på en god fysisk forståelse av ladningstransport i halvledere.
  • inngående kunnskap om elektronstruktur, ladningsbærerstatistikk og transportmekanismer for ladningsbærere (elektroner og hull) i halvledere
  • kjennskap tilde teknologiske prosesser for fremstilling av halvlederkomponenter og integrerte kretser.
  • god kunnskap om ladningstransport i p-n overganger og metall-halvleder kontakter
  • god kunnskap om arbeidsprinsippene for felteffekt (MOSFET) og bipolar (BJT) transistor

Ferdigheter

Kandidaten kan:

  • beregne spenningsforhold og strømstyrker i sentrale elektroniske halvlederkomponenter (p-n overganger, felteffekt og bipolar transistor) under ulike forspenningsbetingelser.
  • sette opp og analysere kretsmodeller for felteffekt og bipolar transistor - sette seg inn i virkemåte og teknologi for fremstilling av nye og fremtidige halvlederbaserte elektroniske og fotoniske komponenter.

Generell kompetanse

Kandidaten har:

  • nødvendige ferdigheter i matematikk, statistikk, fysikk og kretsteknikk for kvantitativ analyse av definerte elektroniske systemkomponenter.
  • nødvendig kunnskap for videre studier innen elektronisk krets- og systemdesign.

Læringsformer og aktiviteter

Forelesninger og regneøvinger.

Minst 8 øvinger må være godkjent før eksamen. Det vil bli gitt 10-11 øvinger.

Obligatoriske aktiviteter

  • Regneøvinger

Mer om vurdering

Skriftlig eksamen vil bli gitt bare på engelsk. Utsatt eksamen (kontinuasjonseksamen) vil normalt avholdes i august og eksamensform kan bli endret fra skriftlig til muntlig.

Kursmateriell

Ben G. Streetman and Sanjay K. Banerjee, "Solid State Electronic Devices", 7th ed. (eller nyere) (Pearson Global Edition) Pearson Education Limited, 2016

Studiepoengreduksjon

Emnekode Reduksjon Fra Til
TFE4145 7.5 HØST 2018
TFE4177 7.5 HØST 2018
Flere sider om emnet

Ingen

Fakta om emnet

Versjon: 1
Studiepoeng:  7.5 SP
Studienivå: Tredjeårsemner, nivå III

Undervisning

Termin nr.: 1
Undervises:  HØST 2023

Undervisningsspråk: Engelsk

Sted: Trondheim

Fagområde(r)
  • Elektronikk
  • Materialteknologi og elektrokjemi
  • Material- og faststoffysikk
  • Faste stoffers fysikk
  • Fysikalsk elektronikk
  • Teknologiske fag
Kontaktinformasjon
Emneansvarlig/koordinator: Faglærer(e):

Ansvarlig enhet
Institutt for elektroniske systemer

Timeplan

Listevisning
Kalendervisning

Eksamensinfo

Vurderingsordning: Skriftlig skoleeksamen

Termin Statuskode Vurdering Vekting Hjelpemidler Dato Tid Eksamens- system Rom *
Høst ORD Skriftlig skoleeksamen 100/100 C 13.12.2023 15:00 INSPERA
Rom Bygning Antall kandidater
SL111 brun sone Sluppenvegen 14 81
SL238 Sluppenvegen 14 1
SL520 Sluppenvegen 14 7
SL111 grønn sone Sluppenvegen 14 19
SL420 Sluppenvegen 14 1
Sommer UTS Skriftlig skoleeksamen 100/100 C INSPERA
Rom Bygning Antall kandidater
  • * Skriftlig eksamen plasseres på rom 3 dager før eksamensdato. Hvis mer enn ett rom er oppgitt, finner du ditt rom på Studentweb.
Eksamensinfo

For mer info om oppmelding til og gjennomføring av eksamen, se "Innsida - Eksamen"

Mer om eksamen ved NTNU