course-details-portlet

TFE4146

Halvlederkomponenter

Studiepoeng 7,5
Nivå Tredjeårsemner, nivå III
Undervisningsstart Høst 2025
Varighet 1 semester
Undervisningsspråk Engelsk
Sted Trondheim
Vurderingsordning Skriftlig skoleeksamen

Om

Om emnet

Faglig innhold

Emnet gir en detaljert innføring i de viktigste klasser av elektroniske halvlederkomponenter. Følgende tema behandles: ladningsbærerstatistikk og ladningsbærertransport i halvledere, luminesens og fotoledning, p-n overganger, metall-halvleder kontakter, dioder, felteffekt transistorer (MOSFET), bipolar transistor (BJT) og utvalgte fotoniske halvlederkomponenter.

Læringsutbytte

Kunnskapsmål

Kandidaten har:

  • god innsikt i prinsipp og virkemåte for de viktigste typer av elektroniske halvlederkomponenter, basert på en god fysisk forståelse av ladningstransport i halvledere.
  • inngående kunnskap om elektronstruktur, ladningsbærerstatistikk og transportmekanismer for ladningsbærere (elektroner og hull) i halvledere
  • kjennskap tilde teknologiske prosesser for fremstilling av halvlederkomponenter og integrerte kretser.
  • god kunnskap om ladningstransport i p-n overganger og metall-halvleder kontakter
  • god kunnskap om arbeidsprinsippene for felteffekt (MOSFET) og bipolar (BJT) transistor

Ferdigheter

Kandidaten kan:

  • beregne spenningsforhold og strømstyrker i sentrale elektroniske halvlederkomponenter (p-n overganger, felteffekt og bipolar transistor) under ulike forspenningsbetingelser.
  • sette opp og analysere kretsmodeller for felteffekt og bipolar transistor - sette seg inn i virkemåte og teknologi for fremstilling av nye og fremtidige halvlederbaserte elektroniske og fotoniske komponenter.

Generell kompetanse

Kandidaten har:

  • nødvendige ferdigheter i matematikk, statistikk, fysikk og kretsteknikk for kvantitativ analyse av definerte elektroniske systemkomponenter.
  • nødvendig kunnskap for videre studier innen elektronisk krets- og systemdesign.

Læringsformer og aktiviteter

Forelesninger og regneøvinger.

Minst 6 øvinger må være godkjent før eksamen. Det vil bli gitt 10 øvinger.

Obligatoriske aktiviteter

  • Regneøvinger

Mer om vurdering

Skriftlig eksamen vil bli gitt bare på engelsk. Utsatt eksamen (kontinuasjonseksamen) vil normalt avholdes i august og eksamensform kan bli endret fra skriftlig til muntlig.

Kursmateriell

Ben G. Streetman and Sanjay K. Banerjee, "Solid State Electronic Devices", 7th ed. (eller nyere) (Pearson Global Edition) Pearson Education Limited, 2016

Studiepoengreduksjon

Emnekode Reduksjon Fra
TFE4145 7,5 sp Høst 2018
TFE4177 7,5 sp Høst 2018
Dette emne har faglig overlapp med emnene i tabellen over. Om du tar emner som overlapper får du studiepoengreduksjon i det emnet du har dårligst karakter i. Dersom karakteren er lik i de to emnene gis det reduksjon i det emnet som er avlagt sist.

Fagområder

  • Elektronikk
  • Materialteknologi og elektrokjemi
  • Material- og faststoffysikk
  • Faste stoffers fysikk
  • Fysikalsk elektronikk
  • Teknologiske fag

Kontaktinformasjon

Emneansvarlig/koordinator

Faglærere

Ansvarlig enhet

Institutt for elektroniske systemer

Eksamen

Eksamen

Vurderingsordning: Skriftlig skoleeksamen
Karakter: Bokstavkarakterer

Ordinær eksamen - Høst 2025

Skriftlig skoleeksamen
Vekting 100/100 Hjelpemiddel Kode C Dato 24.11.2025 Tid 15:00 Varighet 4 timer Eksamenssystem Inspera Assessment
Sted og rom for skriftlig skoleeksamen

Oppgitt rom kan endres og endelig plassering vil være klar senest 3 dager før eksamen. Du finner din romplassering på Studentweb.

Sluppenvegen 14
Rom SL311 brun sone
64 kandidater

Utsatt eksamen - Sommer 2026

Skriftlig skoleeksamen
Vekting 100/100 Hjelpemiddel Kode C Varighet 4 timer Eksamenssystem Inspera Assessment Sted og rom Ikke spesifisert ennå.