course-details-portlet

ET8303

Kraftelektronikk, halvlederfysikk og pålitelighet

Studiepoeng 7,5
Nivå Doktorgrads nivå
Undervisningsstart Vår 2012
Varighet 1 semester
Undervisningsspråk Engelsk og norsk
Vurderingsordning Muntlig eksamen

Om

Om emnet

Faglig innhold

Følgene temaer inngår:
- Fysikk for optimal bruk av krafthalvledere: Kraftdioder, Krafttransistorer, Tyristorer, Gate Turn-Off Tyristorer, Insulated Gate Bipolar Transistorer, SiC komponenter
- Snubbere
- Driverkretser
- Kjøling
- Konstruksjon av høyfrekvente magnetiske komponenter.

Læringsutbytte

Å gi dyp innsikt i halvlederteori som gir optimal og pålitelig konstruksjoner, samt å gi fysikalsk forståelse av halvlederne som grunnlag for god design av kraftelektroniske omformere.

Læringsformer og aktiviteter

Forelesninger, selvstudium og prosjektoppgave basert på litteratur.
Emnet undervises annet hvert år, neste gang vår 2012.

Kursmateriell

Mohan, Undeland og Robbins: Power Electronics, Converters, Applications, and Design, Wiley, 3rd Edition 2003.

Josef Lutz: Halbleite – Leistungsbauelemente – Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit
Springer Verlag 2006.

Tidsskriftartikler

Fagområder

  • Elkraftteknikk
  • Teknologiske fag

Kontaktinformasjon

Eksamen

Eksamen

Vurderingsordning: Muntlig eksamen
Karakter: Bokstavkarakterer

Ordinær eksamen - Høst 2011

Muntlig
Vekting 100/100 Dato 03.12.2011

Ordinær eksamen - Vår 2012

Muntlig
Vekting 100/100 Dato 30.05.2012