Emne - Modellering av halvlederkomponenter - FE8124
Modellering av halvlederkomponenter
Undervises ikke studieåret 2011/2012
Om
Om emnet
Faglig innhold
Emnet omhandler stor- og småsignal modellering av viktige halvlederkomponenter. Det legges særlig vekt på Si MOSFET samt heterostruktur-komponenter som HEMT og HBT. Aktuelle tema er fysisk beskrivelse, ekvivalentkretsrepresentasjon, høyfrekvensoppførsel, krav til modeller for RF-anvendelser, intrinsikke og ekstrinsikke modellelementer, parameterekstraksjon, støykilder og støymodellering.
Læringsutbytte
Kunnskaper: Emnet skal gi innsikt i komponentmodeller som benyttes i krets- og komponent-design, med vekt på analog- og RF-anvendelser.
Ferdigheter: Utvikling og anvendelse av komponentmodeller for bruk is avansert kretsdesign.
Generell kompetanse: Forståelse av det fysikalsk grunnlaget som komponentmodellene er basert på, og innsikt i gyldighetområdet for anvendelser.
Læringsformer og aktiviteter
Forelesninger. Øvinger. Muntlig eksamen.
Anbefalte forkunnskaper
TFE4100 Kretsteknikk eller tilsvarende.
Forkunnskapskrav
Ingen
Kursmateriell
T. Ytterdal, Y. Cheng and T. A. Fjeldly, Device Modeling for Analog and RF CMOS Design, Wiley2003, ISBN 0-471-49869-6.
F. Ali and A. Gupta, HEMTs and HBTs: Devices, Fabrication , and Circuits, Artech House, 1991, ISBN 0-89006-401-6.
Tidsskriftartikler
Fagområder
- Elektronikk
- Fysikalsk elektronikk
- Teknologiske fag