Faglig innhold

Faget foreleses annet hvert år - neste gang høsten 2012. Kilder til atomstråler og molekylstråler, høyvakuum gro- og prosess-systemer, karakteriseringsteknikker, MBE groprosesser for gittertilpassede strukturer, MBE groprosesser for strukne lag, materialrelaterte grokarakteristikker ved MBE.

Læringsutbytte

A. Kunnskap: Emnet skal gi det teoretiske grunnlaget for å kunne bruke molekylstråleepitaksi til å framstille avanserte lagdelte tynnfilmer av sammensatte halvledere for elektroniske og optoelektroniske komponenter, samt det teoretiske grunnlaget for viktige karakteriseringsteknikker for framstilte strukturer. B. Ferdigheter: Å være istand til å designe og framstille avanserte lagdelte tynnfilmer av sammensatte halvledere med molekylstråleepitaksi.

Læringsformer og aktiviteter

Forelesninger, student-seminarer, regneøvinger, laboratorieøvinger, laboratoriedemonstrasjoner, selvstudium.

Obligatoriske aktiviteter

• Laboratorieøvinger
• Student-seminarer

Anbefalte forkunnskaper

TFE4145 Elektronfysikk og TFE4180 Halvlederteknologi, eller tilsvarende kunnskaper, vil være en fordel.

Forkunnskapskrav

Generelle kunnskaper i fysikk og matematikk på universitetsnivå.

Kursmateriell

M.A. Herman and H. Sitter: "Molecular Beam Epitaxy; Fundamentals and Current Status", Springer-Verlag, Berlin, 1996 (2nd edition). ISBN 3-540-60594-0.
Utvalgte tidsskriftsartikler.