FE8111 - Molekylstråleepitaksi

Om emnet

Undervises ikke studieåret 2017/2018

Faglig innhold

Emnet foreleses annet hvert år - neste gang høsten 2016. Kilder til atomstråler og molekylstråler, høyvakuum gro- og prosess-systemer, karakteriseringsteknikker, MBE groprosesser for gittertilpassede strukturer, MBE groprosesser for strukne lag, materialrelaterte grokarakteristikker ved MBE.

Læringsutbytte

A. Kunnskap: Emnet skal gi det teoretiske grunnlaget for å kunne bruke molekylstråleepitaksi til å framstille avanserte lagdelte tynnfilmer av sammensatte halvledere for elektroniske og optoelektroniske komponenter, samt det teoretiske grunnlaget for viktige karakteriseringsteknikker for framstilte strukturer. B. Ferdigheter: Å være istand til å designe og framstille avanserte lagdelte tynnfilmer av sammensatte halvledere med molekylstråleepitaksi.

Læringsformer og aktiviteter

Forelesninger, student-seminarer, regneøvinger, laboratorieøvinger, laboratoriedemonstrasjoner, selvstudium.

Obligatoriske aktiviteter

  • Laboratorieøvinger
  • Student-seminarer

Spesielle vilkår

Vurderingsmelding krever godkjent undervisningsmelding samme semester. Obligatorisk aktivitet fra tidligere semester kan godkjennes av instituttet.

Forkunnskapskrav

Generelle kunnskaper i fysikk og matematikk på universitetsnivå.

Kursmateriell

M.A. Herman and H. Sitter: "Molecular Beam Epitaxy; Fundamentals and Current Status", Springer-Verlag, Berlin, 1996 (2nd edition). ISBN 3-540-60594-0.
Utvalgte tidsskriftsartikler.

Eksamensinfo

  • * Skriftlig eksamen plasseres på rom 3 dager før eksamensdato.
Hvis mer enn ett rom er oppgitt, finner du ditt rom på Studentweb.