Emne - Modellering av halvlederkomponenter - FE8124
Modellering av halvlederkomponenter
Om
Om emnet
Faglig innhold
Emnet skal foreleses 2. hvert år, med start Høst 2008. Emnet omhandler stor- og småsignal modellering av viktige halvlederkomponenter. Det legges særlig vekt på Si MOSFET samt heterostruktur-komponenter som HEMT og HBT. Aktuelle tema er fysisk beskrivelse, ekvivalentkretsrepresentasjon, høyfrekvensoppførsel, krav til modellere for RF-anvendelser, intrinsikke og ekstrinsikke modellelementer, parameterekstraksjon, støykilder og støymodellering.
Læringsutbytte
Emnet skal gi innsikt i komponentmodeller som benyttes i krets- og komponent-design, med vekt på analog- og RF-anvendelser.
Læringsformer og aktiviteter
Forelesninger og øvinger
Anbefalte forkunnskaper
TFE4100 Kretsteknikk eller tilsvarende.
Forkunnskapskrav
Ingen
Kursmateriell
T. Ytterdal, Y. Cheng and T. A. Fjeldly, Device Modeling for Analog and RF CMOS Design, Wiley2003, ISBN 0-471-49869-6.
F. Ali and A. Gupta, HEMTs and HBTs: Devices, Fabrication , and Circuits, Artech House, 1991, ISBN 0-89006-401-6.
Tidsskriftartikler
Fagområder
- Elektronikk
- Fysikalsk elektronikk
- Teknologiske fag