course-details-portlet

TFE4145 - Elektronfysikk

Om emnet

Vurderingsordning

Vurderingsordning: Skriftlig eksamen
Karakter: Bokstavkarakterer

Vurdering Vekting Varighet Delkarakter Hjelpemidler
Skriftlig 100/100 4 timer

Faglig innhold

Emnet gir en detaljert innføring i de viktigste klasser av elektroniske og fotoniske halvlederkomponenter. Følgende tema behandles: ladningsbærerstatistikk og ladningsbærertransport i halvledere, luminesens og fotoledning, p-n overganger, metall-halvleder kontakter, dioder, felteffekt transistor (MOSFET), bipolar transistor, lysemitterende dioder, halvlederlasere, fotodioder og fotovoltaiske solceller.

Læringsutbytte

Emnet skal gi studentene grundig innsikt i prinsipp og virkemåte for de viktigste typer av elektroniske og fotoniske halvlederkomponenter, basert på god fysisk forståelse av ladningstransport i halvledere.

Emnet skal gi studentene kunnskap om:
- elektronstruktur, ladningsbærerstatistikk og transportmekanismer i halvledere
- teknologiske prosesser for fremstilling av halvlederkomponenter og integrerte kretser
- ladningstransport i p-n overganger og metall-halvleder kontakter
- prinsippene for felteffekt (MOSFET) og bipolar (BJT) transistor
- prinsippene for lysemitterende dioder (LED), halvlederlasere (LD), fotoledere/fotodioder og fotovoltaiske solceller.

Emnet skal gi studentene ferdigheter til:
- å beregne spenningsforhold og strømstyrker i eksisterende elektroniske og fotoniske halvlederkomponenter under ulike forspenningsbetingelser
- å sette opp og analysere kretsmodeller for felteffekt og bipolar transistor
- å sette seg inn i virkemåte og teknologi for fremstilling av nye og fremtidige halvlederbaserte elektroniske og fotoniske komponenter.

Emnet skal gi studentene generell kompetanse:
- på bruk av ervervede ferdigheter i matematikk, statistikk, fysikk og kretsteknikk til kvantitativ analyse av definerte elektroniske systemkomponenter
- til meningsfylte videre studier av elektronisk krets- og systemdesign.

Læringsformer og aktiviteter

Forelesninger og regneøvinger. Skriftlig eksamen gis kun på engelsk. Eksamen kan besvares på norsk eller engelsk. Ved utsatt eksamen (kontinuasjonseksamen) kan skriftlig eksamen bli endret til muntlig eksamen.

Kursmateriell

B.G. Streetman and Sanjay Banerjee: Solid State Electronic Devices, 6te opplag (el. senere), Prentice Hall, 2006.

Studiepoengreduksjon

Emnekode Reduksjon Fra Til
SIE4025 7.5
TFE4146 7.5
TFE4164 5.0
TFE4177 3.7
Flere sider om emnet

Ingen

Fakta om emnet

Versjon: 1
Studiepoeng:  7.5 SP
Studienivå: Høyere grads nivå

Undervisning

Termin nr.: 1
Undervises:  HØST 2014

Undervisningsspråk: Engelsk

-

Fagområde(r)
  • Faste stoffers fysikk
  • Fysikalsk elektronikk
  • Material- og faststoffysikk
Kontaktinformasjon
Emneansvarlig/koordinator:
  • Jostein Grepstad

Ansvarlig enhet
Institutt for elektroniske systemer

Eksamensinfo

Vurderingsordning: Skriftlig eksamen

Termin Statuskode Vurdering Vekting Hjelpemidler Dato Tid Eksamens- system Rom *
Høst ORD Skriftlig 100/100 17.12.2014 09:00
Rom Bygning Antall kandidater

Vurderingsordning: Muntlig eksamen

Termin Statuskode Vurdering Vekting Hjelpemidler Dato Tid Eksamens- system Rom *
Sommer KONT Muntlig 100/100 06.08.2015
Rom Bygning Antall kandidater
  • * Skriftlig eksamen plasseres på rom 3 dager før eksamensdato. Hvis mer enn ett rom er oppgitt, finner du ditt rom på Studentweb.
Eksamensinfo

For mer info om oppmelding til og gjennomføring av eksamen, se "Innsida - Eksamen"

Mer om eksamen ved NTNU