Vurderingsordning

Vurderingsordning: Skriftlig
Karakter: Bokstavkarakterer

Vurderingsform	Vekting	Varighet	Hjelpemidler	Avvikende karakter
Skriftlig eksamen	100/100	4	C

Faglig innhold

Emnet gir en detaljert innføring i de viktigste klasser av elektroniske og fotoniske halvlederkomponenter. Følgende tema behandles: ladningsbærerstatistikk og ladningsbærertransport i halvledere, luminesens og fotoledning, p-n overganger, metall-halvleder kontakter, dioder, felteffekt transistor (MOSFET), bipolar transistor, lysemitterende dioder, halvlederlasere, fotodioder og fotovoltaiske solceller.

Læringsmål

Emnet skal gi studentene grundig innsikt i prinsipp og virkemåte for de viktigste typer av elektroniske og fotoniske halvlederkomponenter, basert på en god fysisk forståelse av ladningstransport i halvledere.

Emnet skal gi studentene:

Kunnskap om
- elektronstruktur, ladningsbærerstatistikk og transportmekanismer i halvledere
- teknologiske prosesser for fremstilling av halvlederkomponenter og integrerte kretser
- ladningstransport i p-n overganger og metall-halvleder kontakter
- prinsippene for felteffekt (MOSFET) og bipolar transistor (BJT)
- prinsippene for lysemitterende dioder (LED), halvlederlasere (LD), fotoledere/fotodioder og fotovoltaiske solceller

Ferdigheter til
- å beregne spenningsforhold og strømstyrker i eksisterende elektroniske og fotoniske halvlederkomponenter under ulike forspenningsbetingelser
- å sette opp og analysere kretsmodeller for felteffekt og bipolar transistor
- å sette seg inn i virkemåte og teknologi for fremstilling av nye/fremtidige halvlederbaserte elektroniske og fotoniske komponenter

Generell kompetanse
- på bruk av ervervede ferdigheter i matematikk, statistikk, fysikk og kretsteknikk til kvantitativ analyse av definerte elektroniske system-komponenter
- for meningsfylte videre studier av elektroniske kretser og systemer.

Læringsformer og aktiviteter

Forelesninger og regneøvinger. Ved utsatt eksamen (kontinuasjonseksamen) kan skriftlig eksamen bli endret til muntlig eksamen. Emnet kan bli forelest på engelsk.

Anbefalte forkunnskaper

Grunnleggende fysikkunnskaper på nivå med emne, TFE4215 Faststoff-materialer og nanostrukturer eller TFY4220 Faste stoffers fysikk.

Forkunnskapskrav

Ingen

Kursmateriell

B.G. Streetman and Sanjay Banerjee: Solid State Electronic Devices, 5te opplag (el. senere), Prentice Hall, 2000.

Studiepoengreduksjon

Emnekode	Reduksjon	Fra	Til
SIE4025	7.5

Kontaktinformasjon: timeplan@adm.ntnu.no

Vurderingsordning: Skriftlig

Termin	Vurderingsform	Vekting	Hjelpemidler	Dato	Tid	Rom *
Høst	Skriftlig eksamen	100/100	C	19.12.2012	09:00	Storhall del 2

* Eksamen plasseres på rom 3 dager før eksamen.
Hvis mer enn ett rom er oppgitt, finner du ditt rom på Studentweb.