44124     HALVLEDERTEKNOLOGI
          Halvleder komponent- og kretsteknologi
          Semiconductor device technology
Faglærer: Førsteamanuensis Bjørn-Ove Fimland
Uketimer: Høst: 3F + 1Øu + 1Øs + 1D =  9Bt
Tid:      Høst:  F   ti  11-13  EL4                         Ø   fr  09-10 EL4
                     fr  08-09  EL4
Eksamen:  3.desember           Hjelpemidler: B2            Øvinger: F    Karakter: TE

Mål: Faget skal formidle innsikt i halvleder tynnfilmteknologi for fremstilling av elektroniske og fotoniske komponenter og integrerte kretser.

Forutsetning: Fag 44028 Elektronfysikk eller tilsvarende kunnskaper.

Innhold: Krystallgroing fra smelte og epitaksielle deponeringsteknikker (dampfase-, væskfase- og molekylstråle-epitaksi). Sonerensing og doping. Halvleder heterostrukturer og supergitter. Karakterisering av halvleder med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, C-V teknikker, DLTS), diffraksjonsmetoder (XRD, EXAFS, RHEED, LEED), optiske målemetoder (refleksjon, absorpsjon, luminesens, fotoledning) og ionestråle-basert teknikker (SIMS, ionespredning, Auger sputterprofilering). Prosessering av halvlederkomponenter og integrerte kretser; oksidasjon, diffusjon, ioneimplantasjon, litografi og etsing, trådbonding og pakking.

Undervisningsform: Forelesninger, regneøvinger, laboratoriedemonstrasjoner.

Kursmateriell: T.E. Jenkins: Semiconductor Science; Growth and Characterization Techniques, Prentice Hall 1995, utfyllende kursmateriell.